Atmiņas (Septembris 2020)

Hynix apiet DRAM importa tarifus ES kandidātvalstīs

Hynix apiet DRAM importa tarifus ES kandidātvalstīs

Desmit jaunu valstu pievienošanās ES neietekmēs Hynix Semiconductor DRAM biznesu, kaut arī tās Austrumeiropas ...

ST un Hynix atskaņošana nokļūst NAND zibspuldzē

ST un Hynix atskaņošana nokļūst NAND zibspuldzē

Uzņēmumi pirms gada beigām nosūtīs 90nm ierīces

Elpida plāno DRAM fab 4.5 miljardus USD

Elpida plāno DRAM fab 4.5 miljardus USD

Firmas otrajam 300 mm paraugam varētu būt 60 000 vafeļu mēnesī

Intel pielāgo NOR datu glabāšanai

Intel pielāgo NOR datu glabāšanai

Modificēs NOR tehnoloģiju, lai konkurētu ar NAND šūnām datu glabāšanas tirgū

Spansion acis mirgo lielapjoma atmiņā

Spansion acis mirgo lielapjoma atmiņā

Firma noteikti darbosies pēc tirgus, kurā dominē NAND zibspuldze, bet datums nav noteikts

SanDisk uzskata zibspuldzi par jaunu “filmu”

SanDisk uzskata zibspuldzi par jaunu “filmu”

Zibatmiņu digitālajās fotokamerās varētu izmantot kā arhīvu, veicinot tirgus attīstību

MRAM tehnoloģijas solis ir 16 MB

MRAM tehnoloģijas solis ir 16 MB

Infineon un IBM pieprasa vadošo tehnoloģiju ar savu 16Mbitu MRAM

Micron ziņo, ka trešā ceturkšņa ieņēmumi ir pieauguši par 13%

Micron ziņo, ka trešā ceturkšņa ieņēmumi ir pieauguši par 13%

Neto apgrozījums ir lielāks par 50 procentiem salīdzinājumā ar pagājušo gadu

Taivānā tiek atvērts DRAM superfab

Taivānā tiek atvērts DRAM superfab

Infineon un Nanya ir atvērts 300 mm, 0,11 µm objekts

Rambus faili par konkurences pārkāpumiem ir USD 1 miljards

Rambus faili par konkurences pārkāpumiem ir USD 1 miljards

Atmiņas ražotāji nosaukti tiesas prāvā

Mikrons, lai pārdotu NAND zibspuldzi

Mikrons, lai pārdotu NAND zibspuldzi

Debitēs ar 2Gbitu ierīci, kas izgatavota uz 90nm procesa

Lielbritānijas universitāte izstrādā 12Tbyte nano atmiņu

Lielbritānijas universitāte izstrādā 12Tbyte nano atmiņu

Niķeļa-titāna kristāli

Sāncensis mirgo uz veiksmes robežas

Sāncensis mirgo uz veiksmes robežas

Uz Chalcogenide balstīta atmiņa, kas iebūvēta 8 MB testa mikroshēmā ar 0,18 µm

Intel, lai sāktu 90 nm NOR flash

Intel, lai sāktu 90 nm NOR flash

Firma nākamajā gadā sola 10 reizes lielāku rakstīšanas ātrumu

DRAM ieņēmumi palielinājās par 20% 2.ceturksnī

DRAM ieņēmumi palielinājās par 20% 2.ceturksnī

Hynix apsteidz Micron par otro vietu aiz Samsung, saka analītiķu firma

AMD ieņēmumi ir gandrīz dubultā

AMD ieņēmumi ir gandrīz dubultā

Palielinājumu nodrošina zibatmiņa, bet arī mikroprocesori

Flash tirgus kļūst konkurētspējīgs

Flash tirgus kļūst konkurētspējīgs

Sacensības par vadošo lomu zibatmiņas tirgū 2. ceturksnī kļuva saspringtākas, liecina iSuppli

Infineon atzīst cenu noteikšanu

Infineon atzīst cenu noteikšanu

Firma atzīst savu vainu un samaksā 160 miljonus USD naudas sodu par piedalīšanos DRAM cenu sazvērestībā

Atmiņas IP firma pieņem darbā izpilddirektoru

Atmiņas IP firma pieņem darbā izpilddirektoru

Šveices atmiņas tehnoloģiju firma pieņem darbā intelektuālā īpašuma veterānu

Renesas vēlas zibspuldzi ar ātrumu 4Gbit

Renesas vēlas zibspuldzi ar ātrumu 4Gbit

Renesas Technology mērķis ir ieņemt vadošo lomu lielapjoma atmiņas zibatmiņas tirgū